STMicroelectronics / Texas Instruments

4 demi-ponts push-pull avec diodes de roue libre intégrées

16-DIP / 20-SOIC (L293DD)

4.5 V – 5.5 V

4.5 V – 36 V

600 mA

1.2 A (non répétitif)

4 demi-ponts $\rightarrow$ 2 ponts-H complets

EN1,2 et EN3,4 – active high

TTL / DTL

5 kHz

Intégrées (L293{D

Moteurs DC, moteurs pas-à-pas, relais, solénoïdes

u-blox

Module GNSS 72 canaux, moteur u-blox M8, flash intégrée

LCC 12.2 $\times$ 16.0 $\times$ 2.4 mm

1.71 V – 1.89 V (core) / 1.71 V – 3.6 V (I/O)

26 mA typ.

11 mA typ.

GPS, GLONASS, Galileo, BeiDou (3 simultanés)

72

$-$167 dBm

26 s typ.

1 s typ.

2.5 m CEP (GPS)

1 PPS, configurable

WAAS, EGNOS, MSAS, GAGAN

UART, I$^2$C (DDC), SPI, USB

NMEA, UBX (propriétaire u-blox)

9600 baud (configurable jusqu'à 460800)

Nordic Semiconductor

Transceiver single-chip 2.4 GHz avec Enhanced ShockBurst™

QFN-20 (4 $\times$ 4 mm)

1.9 V – 3.6 V

11.3 mA

13.5 mA

900 nA

2.400 – 2.4835 GHz (ISM mondial)

125 canaux (1 MHz d'espacement)

$-$18 dBm à 0 dBm (configurable)

250 kbps, 1 Mbps, 2 Mbps

100 m (antenne PCB) – jusqu'à 1 km (version PA/LNA)

GFSK

6 pipes RX, adresses 3–5 octets

ACK automatique, retransmission, payload dynamique

3 niveaux TX et RX

SPI (jusqu'à 8 MHz)

CE (Chip Enable), CSN (Chip Select)

TDK InvenSense

IMU MEMS 6-DOF : gyroscope 3 axes + accéléromètre 3 axes + DMP

QFN-24 (4 $\times$ 4 $\times$ 0.9 mm)

2.375 V – 3.46 V

1.8 V ou VDD

3.9 mA

10 µA à 1.25 Hz

$\pm$250, $\pm$500, $\pm$1000, $\pm$2000 °/s

16 bits

131 LSB/°/s

$\pm$2, $\pm$4, $\pm$8, $\pm$16 g

16 bits

16384 LSB/g

$-$40°C à +85°C, résolution 1/340 °C/LSB

Fusion 6 axes embarquée

Pour magnétomètre externe (ex. AK8975)

I$^2$C (400 kHz)

0x68 (AD0=0) ou 0x69 (AD0=1)

Texas Instruments / NXP

Expandeur 8 E/S quasi-bidirectionnelles via I$^2$C, sortie INT

16-DIP / 16-SOIC / TSSOP-20 / VQFN-16

2.5 V – 6.0 V

100 µA typ.

25 mA max

300 µA max (pull-up interne faible)

8 bits quasi-bidirectionnels (P0 – P7)

Sortie INT open-drain, active LOW sur changement d'entrée

Toutes les E/S à HIGH au power-on

3 broches A0, A1, A2 $\rightarrow$ 8 adresses possibles

I$^2$C (100 kHz standard, compatible fast-mode)

0x20 – 0x27 (selon A0/A1/A2)

Worldsemi

LED RGB 2020 avec contrôleur intégré, protocole NZR 1 fil

SMD 2020 (2.0 $\times$ 2.0 $\times$ 0.84 mm)

3.7 V – 5.3 V

$\approx$ 15 mA (5 mA/canal)

50 / 80 / 100 mcd (min/typ/max) à 5 mA

200 / 270 / 300 mcd à 5 mA

50 / 70 / 100 mcd à 5 mA

256 (8 bits)

1 fil NZR (Non-Return-to-Zero)

800 kbps

GRB, 24 bits par pixel (8R + 8G + 8B)

> 280 µs (latch des données)

Texas Instruments

DAC stéréo 32 bits, 384 kHz, sortie DirectPath™\ sans capa de liaison

TSSOP-20

3.3 V

3.3 V

3.3 V

15 mA

32 bits

384 kHz

106 dB

106 dB

$-$92 dB

2.1 V$_{RMS}$ (centré GND – pas de capa de liaison)

Delta-Sigma 32 bits, 8$\times$ interpolation

Génère SCK depuis BCK – pas de MCK requis

Rampe douce, mute analogique 120 dB sans pop

Hardware uniquement (broches FMT, DEMP, XSMT)

I$^2$S (Left-Justified, Right-Justified, DSP)

16, 24 ou 32 bits

Diodes Incorporated

Amplificateur stéréo Classe D sans filtre, 2 $\times$ 3 W

SOP-16

2.5 V – 5.5 V

5 V

3 W par canal

1.7 W par canal

24 dB (fixe)

Classe D, sans filtre passe-bas de sortie

Intégrée

Intégrée, seuil $\approx$ 150°C, hystérésis 30°C

Active LOW, pull-up interne (peut rester flottante)

Active LOW, pull-up interne – coupe les biais

NXP Semiconductors

Driver LED 16 sorties, PWM 8 bits/canal, optimisé RGBA, Fm+

TSSOP-28

2.3 V – 5.5 V

25 mA (à 5 V)

400 µA typ.

16 (LED0 – LED15)

8 bits (256 niveaux)

97 kHz (fixe interne)

8 bits, applicable à tous les canaux simultanément

Fréquence de 24 Hz à 10.73 s programmable

OFF / ON / PWM individuel / PWM + dimming groupe

I$^2$C Fm+ (1 MHz), SDA haute drive 30 mA

6 bits configurables – 64 adresses possibles (0x00 – 0x3F)

3 sous-adresses de groupe programmables

Adresse broadcast configurable

Contrôle asynchrone de toutes les sorties, active LOW

Texas Instruments / NXP / Nexperia

8 buffers/drivers non-inverseurs avec sorties 3 états, 2 OE indépendants

20-DIP / 20-SOIC / 20-TSSOP

2.0 V – 6.0 V

$-$8 mA (source)

8 mA (sink)

80 µA max

$-$40°C à +125°C

Buffer non-inverseur – Y = A si OE actif

Haute impédance quand OE = HIGH

2 groupes de 4 bits avec 1$\overline{\text{OE}}$ et 2$\overline{\text{OE}}$ séparés

CMOS (HC) – niveaux TTL avec résistances de pull-up

7 ns

STMicroelectronics

Commutateur de puissance haute-side P-channel MOSFET, courant limité programmable

SO-8 / DFN8L (3 $\times$ 3 mm)

2.7 V – 5.5 V

1.2 A (programmable par résistance sur SET)

90 m$\Omega$ (à 5 V)

75 µA typ.

1.2 $\times$ ILIM typ.

Programmable via résistance SET – GND

Limitation active, FAULT asserté si VO < 1.6 V

Coupure automatique à la surchauffe

Open-drain active LOW – indique surintensité ou thermique

Active HIGH (Enable) ou active LOW selon variante

2 ms (montée contrôlée)

USB power switch, alimentation de charge, protection batterie